FASI DI PROGETTO

Prima di cominciare a prendere in esame un amplificatore in classe AB a Mosfet, si è analizzato e realizzato un amplificatore a transistor Darlington in classe AB da 30 Watt su 8 Ohm; lo schema elettrico è quello nella figura posta qui sotto.

Questa configurazione è stata utile per cominciare a confrontarsi con gli amplificatori di potenza. Lo stadio di ingresso come si può vedere è un amplificatore differenziale, realizzato a BJT, mentre nel progetto finale verrèà realizzato con una amplificatore operazionale in configurazione differenziale non invertente. L'uscita dello stadio differenziale è collegato allo stadio pilota costituito da un transistor di media potenza T3 in configurazione Emettitore comune, infine si arriva al finale costituito da due transistor darlington che sono in grado di sopportare una corrente maggiore dei transistor normali. L'amplificazione è determinata dalla retroazione in particolare dalle due resistenze Ri e Rf.

Esaminata e collaudata in modo soddisfacente questa configurazione si è passati al progetto vero e proprio dell' amplificatore con finale a Mosfet in classe AB. Si è deciso di utilizzare i MOS, perchè hanno una caratteristica che ci permette di valutare la distorsione introdotta nelle armoniche del segnale, la caratteristica dei MOS è una caratteristica quadratica, vuol dire che introducono distorsione fino alla seconda armonica del segnale, mentre per i BJT che hanno una caratteristica esponenziale la distorsione viene introdotta per tutte le armoniche del segnale. Un'altra caratteristica dei MOSFET è che sono dei componenti comandati in tensione e quindi il morsetto di comando Gate non assorbe corrente. Si è partiti da una classe B in partenza, ma poi eliminando la distorsione di cross-over grazie alla retroazione si è ottenuto un amplificatore in classe AB. La struttura dell'amplificatore è sempre la stessa, in ingresso abbiamo un amplificatore operazionale in configurazione differenziale, poi c'è lo stadio pilota con anche i transistor che hanno la funzione di prepolarizzare i Mosfet, visto che la loro tensione di conduzione è abbastanza elevata, in questo modo portiamo i Mos in condizione di "pronti a condurre". Infine lo stadio finale costituito da due Mosfet uno a canale N e uno a canale P. Posta prima del carico c'è la rete di Zobel che ha la funzione di anti - oscillazioni su carico induttivo.